Intel a Micron představili novou paměť 3D NAND flash

Nová technologie umožnila dosáhnout trojnásobné kapacity oproti jiným technologiím typu NAND. 2,5palcové disky tak mohou dosáhnout velikosti 10 TB.

Intel a Micron představili novou paměť 3D NAND flash


3D NAND technologie, kterou nově představily společnosti Micron Technology a Intel Corporation, umožňuje dosažení zatím nejvyšší hustoty zapsaných dat ve flashovém úložišti vůbec. Oproti jiným aktuálně vyráběným NAND pamětem dosahuje trojnásobné kapacity. Umožňuje tak vyrábět SSD disky standardní 2,5palcové velikosti o kapacitě přes 10TB.

Technologie sestává z vertikálního, extra přesného navršení jednotlivých vrstev datových buněk, čímž bylo dosaženo zvýšení kapacity. Těchto vrstev může být 32. Vše bude možné využít v široké škále zařízení pro koncové zákazníky i v nejnáročnějších firemních prostředích. Dvojrozměrná flash technologie NAND se blíží svým kapacitním limitům, což pro výrobce pamětí představuje výrazný problém. Technologie 3D NAND proto bude mít velice významný dopad na vývoj trhu, neboť udrží vývoj paměťových řešení v souladu s Mooreovým zákonem, trajektorií rostoucího výkonu a klesající ceny a zároveň přispěje k rozšířenějšímu používání technologií flash. Protože je této kapacity je dosaženo vertikálním vrstvením buněk, mohou být jejich rozměry podstatně větší. To by mělo vést k vyššímu výkonu i životnosti, takže by se nová řešení mohla používat i v datových centrech.

Nová technologie přináší i ekologickou šetrnost: Nové režimy spánku umožňují provoz v nízkoenergetickém modu, kdy se odpojí přísun energie neaktivním NAND čipům (i když ostatní zůstanou aktivní). To výrazně sníží spotřebu energie v pohotovostním režimu.

„Spolupráce Micronu a Intelu vedla k vytvoření špičkové SSD technologie, jež nabízí vysokou hustotu dat, výkon i úspornost, jaké dnes nemají konkurenci,” prohlásil viceprezident paměťových řešení společnosti Micron Brian Shirley. „Technologie 3D NAND má potenciál výrazně zamíchat s trhem. Dopad flashových pamětí – od chytrých telefonů po optimalizované superpočítače – je jen malou ukázkou toho, co všechno je možné.”

Varianty čipů, které pracují s dvojúrovňovém (MLC) nebo trojúrovňovém (TLC) režimu, se již testují a mohly by být v plné výrobě v posledním kvartále roku 2015.

Čtěte také:
→ Samsung spustil hromadnou výrobu superrychlých 128GB pamětí pro chytré telefony
Společnost Samsung zahájila hromadnou výrobu první 128GB vestavěné paměti typu flash založené na standardu UFS 2.0 pro univerzální interní úložiště. Nové paměti jsou určené pro příští generaci špičkových chytrých telefonů a nabídnou 2,7krát vyšší rychlost než dnes běžné vestavěné paměti typu MultiMediaCard (eMMC).
→ Revoluce v architektuře osobních počítačů: nové typy RAM zásadně změní vaše PC
Operační paměti typu MRAM a RRAM přestávají být okrajovou záležitostí a během několika let mohou přinést zásadní změny v architektuře osobních počítačů. Nové paměťové obvody totiž stírají hranici mezi operační pamětí a úložištěm dat a umožní mimo jiné stejnou schopnost okamžitého zapnutí jakou známe u dnešních tabletů, avšak nabídnou mnohem vyšší výkon.

Zaujal vás tento článek?
Zaregistrujte se k odběru našeho e-mailového newsletteru. Každý týden tak pohodlně získáte přehled o důležitých událostech v IT branži.

G+


Úvodní foto: Intel




Komentáře