Samsung spustil hromadnou výrobu superrychlých 128GB pamětí pro chytré telefony

Společnost Samsung zahájila hromadnou výrobu první 128GB vestavěné paměti typu flash založené na standardu UFS 2.0 pro univerzální interní úložiště. Nové paměti jsou určené pro příští generaci špičkových chytrých telefonů a nabídnou 2,7krát vyšší rychlost než dnes běžné vestavěné paměti typu MultiMediaCard (eMMC).

Samsung spustil hromadnou výrobu superrychlých 128GB pamětí pro chytré telefony


Samsung vyzdvihuje jedinečné vlastnosti nového typu paměti, které by měly umožňovat hladké přehrávání videa ve velmi vysokém rozlišení a zároveň efektivnější multitasking při nižší spotřebě energie.

Standard UFS 2.0 využívá dvoukanálového sériové rozhraní namísto jednokanálového paralelního v pamětech eMMC. Dosahuje propustnosti 600 MB/s, avšak díky dvěma kanálům je celková rychlost 1200 MB/s. Pro srovnání, technologie eMMC 5.0 umožňuje rychlost pouze 400 MB/s. UFS 2.0 předčí i nejnovější standard SATA 3.0 využívaný ve většině 2,5palcových discích SSD.

Podle společnosti Samsung nabízí paměť UFS 2.0 třikrát rychlejší sekvenční čtení než technologie eMMC a dvakrát rychlejší náhodné čtení. Využívá také tzv. frontu příkazů, která dokáže oddálit vykonání instrukcí a přeskupit je podle priority dat, což zvyšuje výkon u důležitých operací.

U náhodného čtení dosahuje paměť UFS až 19 tisíc IOPS (vstupně/výstupních operací za sekundu), což je 2,7krát více než u pamětí typu eMMC 5.0. Sekvenční čtení a zápis je dvanáctkrát rychlejší než u běžných vysokorychlostních paměťových karet, které dosahují pouhých 1500 IOPS.

Samsung nabídne vestavěné paměti UFS v kapacitách 128 GB, 64 GB a 32 GB, tedy dvojnásobných oproti kapacitám portfolia pamětí typu eMMC.

Zdroj: IDG News Service

Čtěte také:
→ Toshiba vyvíjí paměti MRAM pro procesory chytrých telefonů
Podle japonského konsorcia může MRAM nahradit SRAM, které jsou aktuálně používány s mobilními CPU.
→ Revoluce v architektuře osobních počítačů: nové typy RAM zásadně změní vaše PC
Operační paměti typu MRAM a RRAM přestávají být okrajovou záležitostí a během několika let mohou přinést zásadní změny v architektuře osobních počítačů. Nové paměťové obvody totiž stírají hranici mezi operační pamětí a úložištěm dat a umožní mimo jiné stejnou schopnost okamžitého zapnutí jakou známe u dnešních tabletů, avšak nabídnou mnohem vyšší výkon.

Zaujal vás tento článek?
Zaregistrujte se k odběru našeho e-mailového newsletteru. Každý týden tak pohodlně získáte přehled o důležitých událostech v IT branži.


Úvodní foto: © Anthony Sacco - Fotolia.com




Komentáře